Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N06S3L-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N06S3L

IPP80N06S3L-05 Hakkında

IPP80N06S3L-05, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 4.8mΩ maksimum On-Direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, invertörler ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilme kapasitesi ve 165W maksimum güç tüketimi, çeşitli endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13060 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 69A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 115µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok