Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N06S3-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N06S3

IPP80N06S3-07 Hakkında

IPP80N06S3-07, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, düşük on-dirençe (6.8mΩ @ 51A, 10V) sahiptir ve güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlamak ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sağlar. 135W maksimum güç yayılımı kapasitesi, ısı yönetimi açısından dikkat edilmesi gereken bir parametredir. Maksimum gate gerilimi ±20V olup, kapı eşik gerilimi 4V @ 80µA'dır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7768 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 51A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 80µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok