Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80N06S2LH5AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80N06S2LH5
IPP80N06S2LH5AKSA1 Hakkında
IPP80N06S2LH5AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V Drain to Source voltajında 80A sürekli akım yeteneğine sahip bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 5mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, maksimum 300W güç dağıtabilme kapasitesine sahiptir. 190nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok