Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80N06S2L11AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80N06S2L11
IPP80N06S2L11AKSA1 Hakkında
IPP80N06S2L11AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltajında 80A sürekli drenaj akımı sağlar ve TO-220-3 paketinde sunulur. Maksimum 11mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Gate charge 80nC olup, hızlı anahtarlama performansı için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 158W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Discontinued durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2075 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 93µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok