Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80N06S2L09AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80N06S2L09
IPP80N06S2L09AKSA1 Hakkında
IPP80N06S2L09AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltajı ve 80A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarına uygun bir bileşendir. TO-220-3 paket tipiyle delik lehimleme montajını destekler. 8.5mOhm (10V, 52A'da) maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 105nC'dir. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Motor kontrol, güç dönüştürme, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. 190W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Bileşen Digi-Key'de üretim dışı (discontinued) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 52A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 125µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok