Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80N06S2L06AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80N06S2L06
IPP80N06S2L06AKSA2 Hakkında
IPP80N06S2L06AKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET'tir. 55V drain-source geriliminde 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 6.3mΩ düşük RDS(On) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 250W'a kadar güç tüketimine dayanır. Gate charge değeri 150nC olup, 4.5V-10V sürücü geriliminde optimal performans sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Cihazın part status'u obsolete olup, yeni tasarımlarda alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 69A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok