Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N06S2L-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N06S2L

IPP80N06S2L-07 Hakkında

IPP80N06S2L-07, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, düşük on-state direnci (7mΩ @ 60A, 10V) sayesinde verimli anahtarlama işlemleri sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 210W güç yayabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Gate charge değeri 130nC ile hızlı komütasyon özellikleri vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3160 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok