Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N06S2L-06

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N06S2L

IPP80N06S2L-06 Hakkında

IPP80N06S2L-06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80A sürekli drenaj akımı ve 55V dren-kaynak gerilimi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 6.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynağı devrelerinde, motor sürücülerinde, anahtarlama uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 250W güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 69A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 180µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok