Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80N06S209AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80N06S209
IPP80N06S209AKSA1 Hakkında
IPP80N06S209AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source geriliminde 80A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10V gate sürücü voltajında 9.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. MOSFET teknolojisine dayalı bu transistör, motor kontrolü, invertör devreleri, DC-DC konverterler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Gate charge değeri 80nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 125µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok