Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N06S208AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N06S208

IPP80N06S208AKSA2 Hakkında

IPP80N06S208AKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 55V drain-source voltajında 80A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8mΩ on-state direnci ile güç uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi, motor kontrol, solar inverter ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 10V gate voltajında 96nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün, yeni tasarımlar için önerilmemektedir (Not For New Designs).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 58A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok