Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N06S207AKSA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N06S207AKSA1

IPP80N06S207AKSA1 Hakkında

IPP80N06S207AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V dren-kaynak gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Düşük on-state direnci (6.6mOhm @ 68A, 10V) sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlama kaynakları, güç yönetimi ve inverter devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 250W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Gate şarjı 110nC ile hızlı anahtarlamayı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 68A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 180µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok