Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N04S403AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N04S403A

IPP80N04S403AKSA1 Hakkında

IPP80N04S403AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj (Vdss) ve 80A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 3.7mΩ on-dirençi (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve aydınlatma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 66nC (@ 10V) olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5260 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 53µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok