Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80N04S3H4AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80N04S3H4AKSA1
IPP80N04S3H4AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP80N04S3H4AKSA1, 40V drain-source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 4.8mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük sıcaklık direnci ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile güç dönüşümü uygulamalarında, motor sürücülerde, enerji kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 115W güç tüketim kapasitesi ve -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı, geniş endüstriyel uygulama yelpazesini desteklemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 65µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok