Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N04S303AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N04S303

IPP80N04S303AKSA1 Hakkında

IPP80N04S303AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı ile güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 188W maksimum güç tüketimine sahiptir. 110nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Through-hole montajı ile PCB tasarımlarında kolay entegrasyon sağlanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 120µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok