Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80N04S2L03AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80N04S2L03
IPP80N04S2L03AKSA1 Hakkında
IPP80N04S2L03AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. 3.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 300W maksimum güç dağıtımına dayanır. Güç amplifikasyon, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç kaynakları ve ters akım koruması gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. 213nC gate charge ve 6000pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon özelliğini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 213 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok