Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80N04S2H4AKSA2
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80N04S2H4
IPP80N04S2H4AKSA2 Hakkında
IPP80N04S2H4AKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Düşük 4mOhm on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-220-3 paket tipi ile Through Hole montajı destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC/DC konvertörlerde ve anahtarlama güç kaynaklarında kullanılır. 300W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır. Junction gate kapasitanı 148nC, input kapasitansi 4400pF değerindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 148 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok