Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80N04S2H4AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80N04S2H4
IPP80N04S2H4AKSA1 Hakkında
IPP80N04S2H4AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 80A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-resistance (4mΩ @ 80A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, maksimum 300W güç dissipasyonu yapabilir. Gate Charge (Qg) 148nC @ 10V olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 148 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok