Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP70N10SL16AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP70N10SL16

IPP70N10SL16AKSA1 Hakkında

IPP70N10SL16AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük öndeğişim kaybı sağlar. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 175°C arası sıcaklık işletme koşullarında kullanılabilir. 250W maksimum güç dissipasyonu ile güç uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama ve güç dönüştürücü tasarımlarında tercih edilir. Gate charge değeri 240nC ve input capacitance 4540pF özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4540 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok