Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R660CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R660CFD
IPP65R660CFDXKSA1 Hakkında
IPP65R660CFDXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 6A sürekli akım kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde monte edilen bu komponent, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 660mΩ maksimum RDS(on) değeri, düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun bir çözümdür. Komponent obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 615 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok