Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R600C6
IPP65R600C6XKSA1 Hakkında
IPP65R600C6XKSA1, 650V drain-source gerilimi ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistörüdür. Sürekli 7.3A drain akımına dayanıklı olan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 600mOhm Rds(On) değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate yükü 23nC ve input kapasitansi 440pF'dir. Endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve AC/DC adaptörler gibi yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. 63W maksimum güç tüketim kapasitesi ile tasarlanmıştır. Bileşen obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok