Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP65R420CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP65R420CFD

IPP65R420CFDXKSA2 Hakkında

IPP65R420CFDXKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source geriliminde 8.7A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi ve hızlı anahtarlama özellikleriyle dikkat çeker. 420mΩ maksimum RDS(on) değeri, güç elektronikleri uygulamalarında verimli çalışmayı sağlar. Endüstriyel inverterler, AC-DC ve DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 300µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok