Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R380E6
IPP65R380E6XKSA1 Hakkında
IPP65R380E6XKSA1, 650V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 10.6A sürekli dren akımı ve 83W güç dağıtım yeteneğine sahip olan bu bileşen, düşük on-state direnci (380mΩ @ 3.2A, 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynağı tasarımı, motor kontrolü, inverter devreleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 39nC gate charge ve 710pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özelliği gösterir. Rochester Electronics tarafından üretilen bu bileşen Obsolete status'undadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok