Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R380C6
IPP65R380C6XKSA1 Hakkında
IPP65R380C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10.6A sürekli drenaj akımı ve 380mΩ maksimum RDS(on) dirençiyle ayarlanmıştır. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilir ve -55°C ile +150°C sıcaklık işletme aralığında kullanılabilir. 83W maksimum güç dağıtım kapasitesiyle, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücü devreleri, DC-DC konvertörler ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanım için tasarlanmıştır. 39nC gate charge ve 710pF giriş kapasitansı, hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Ürünün üretimi durdurulmuş olup, stok bulunabilirliği sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok