Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP65R310CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP65R310CFD

IPP65R310CFDXKSA2 Hakkında

IPP65R310CFDXKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 650V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 11.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta-yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 310mΩ maksimum On-direnci (RdsOn) ile düşük güç kaybı sağlar. 104.2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır. TO-220-3 paket tipi ile endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sınırları sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 4.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 400µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok