Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R310CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R310CFD
IPP65R310CFDXKSA1 Hakkında
IPP65R310CFDXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 11.4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (Rds On: 310mOhm @ 4.4A, 10V) sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer alır. 10V drive voltajı ile kontrol edilebilen transistör, 41nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 104.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok