Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP65R310CFDAAKSA1

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP65R310CFDA

IPP65R310CFDAAKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP65R310CFDAAKSA1, 650V dayanıklı N-Channel MOSFET transistördür. 11.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 310mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Güç uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel invertör tasarımlarında kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek voltaj ve güç yönetimi gerektiren sistemlerde tercih edilir. Gate charge 41nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 4.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 440µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok