Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R280E6
IPP65R280E6XKSA1 Hakkında
IPP65R280E6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V dren-kaynak gerilimi ve 13.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 280mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtar devreler, motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 45nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok