Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R190E6
IPP65R190E6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP65R190E6XKSA1, 650V'luk yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 20.2A'lık sürekli dren akımı kapasitesi ve 190mOhm'luk düşük Rds(on) direnci ile güç elektronikleri devrelerinde verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 paketindeki bu transistör, endüstriyel invertörler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 151W'a kadar güç dağıtabilme kapasitesiyle güvenilir uzun süreli operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok