Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R190CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R190C
IPP65R190CFDAAKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP65R190CFDAAKSA1, 650V drain-source gerilim ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 17.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde üretilen bu bileşen, 190mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimalize eder. -40°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, SMPS (Switched Mode Power Supply) devreleri ve endüstriyel güç kontrol sistemlerinde kullanılan bu transistör, 68nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok