Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R190CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R190CFD7XKSA1
IPP65R190CFD7XKSA1 Hakkında
IPP65R190CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 17.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi, invertör devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde yer alır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığına uyumludur. Düşük on-resistance değeri (190mOhm @ 7.3A, 10V) ile enerji verimli devre tasarımına katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok