Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R190CFD7AAKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R190CFD7
IPP65R190CFD7AAKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IPP65R190CFD7AAKSA1, 650V derecelendirilmiş N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 14A sürekli dren akımı ve 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip bu transistör, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 77W güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel ve ticari elektronik sistemlerinde sıkça kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1291 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok