Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R190C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R190C7
IPP65R190C7FKSA1 Hakkında
IPP65R190C7FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 13A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılan bir bileşendir. 190mΩ maksimum On-direnci (Rds On) ve 23nC gate charge özellikleri ile anahtarlama hızı ve verimlilik açısından tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontroller, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 290µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok