Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R190C6
IPP65R190C6XKSA1 Hakkında
IPP65R190C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 20.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç elektronikleri kontrolü için tasarlanmıştır. TO-220-3 paket türü ile through-hole montajına uygun olan cihaz, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olup 151W maksimum güç dağılımına kapasitedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok