Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R155CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R155CFD7XKSA1
IPP65R155CFD7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP65R155CFD7XKSA1, 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 15A sürekli drain akımı ve 155mΩ maksimum on-direnci ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 77W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel sürücü, motor kontrol, elektrik araçları ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 4.5V kapı eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1283 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok