Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R150CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R150CFD
IPP65R150CFDXKSA2 Hakkında
IPP65R150CFDXKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 22.4A sürekli dren akımı kapasitesi sayesinde endüstriyel güç dönüştürücüleri, şalter modlu güç kaynakları (SMPS), inverterler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda işlem görebilir. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, 10V gate sürüş voltajında 150mΩ maksimum on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir işlem sağlar. 195.3W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile ağır yüklü uygulamalara uygun olup, düşük gate yükü (86nC) ile sürücü devreleri üzerindeki yükü azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 195.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok