Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R150CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R150C
IPP65R150CFDAAKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP65R150CFDAAKSA1, 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel power MOSFET'tir. 22.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüşüm devrelerinde, inverter uygulamalarında ve motor kontrollerinde kullanılır. 150mΩ maksimum açık direnç (Rds On) ile verimli enerji iletimini sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Yüksek gate charge değeri (86nC @ 10V) ve uygun input kapasitesi ile hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. Endüstriyel uygulamalar, PFC devreleri ve AC/DC güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 195.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok