Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R125C7
IPP65R125C7XKSA1 Hakkında
IPP65R125C7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajı ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç elektronikleri sistemlerinde yer alır. 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimalize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde zorlu ortamlarda kullanım için uygundur. 35nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 101W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok