Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R115CFD7AAKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R115CFD7
IPP65R115CFD7AAKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP65R115CFD7AAKSA1, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel Power MOSFET'tir. 21A sürekli drenaj akımı ve 115mΩ maksimum RDS(on) değeriyle, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde kullanılmaya uygundur. ±20V gate voltajı kapasitesi ile geniş kontrol aralığı sunmaktadır. TO-220-3 paketlemesi sayesinde endüstriyel uygulamalarda kolay montaj imkanı sağlar. Düşük gate charge (41nC) hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimi mümkün kılar. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, şarj kontrolü, motor sürücüsü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 490µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok