Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R110CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R110CFD
IPP65R110CFDXKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP65R110CFDXKSA2, 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET'tir. 31.2A sürekli drain akımı kapasitesi ve 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde düşük kayıp sağlar. TO-220-3 paketlemesi ile güç uygulamalarında kolay montaj ve soğutma imkanı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, inverter, motor kontrol, güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde kullanılır. 4.5V gate threshold voltajı ve 118nC gate charge özellikleriyle hızlı ve verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 277.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok