Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R110CFDXKSA1
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R110CFD
IPP65R110CFDXKSA1 Hakkında
IPP65R110CFDXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 31.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 110mOhm maksimum on-direnci (Rds(on)) ile enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, çeşitli ortam koşullarında kullanım sağlar. Gate charge (118nC) ve input capacitance (3240pF) parametreleri hızlı ve verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 277.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok