Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R110CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R110CFD
IPP65R110CFDAAKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP65R110CFDAAKSA1, N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 31.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 277.8W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrolü gibi uygulamalarda kullanılabilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve optimize edilmiş kapasitans değerleriyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 277.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok