Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R110CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R110CFD7XKSA1
IPP65R110CFD7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IPP65R110CFD7XKSA1, 650V N-Channel MOSFET transistördür. 22A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 110mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 41nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve SMPS uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V sürücü voltajı ile standart kontrol devrelerine kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1942 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 480µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok