Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R099C6
IPP65R099C6XKSA1 Hakkında
IPP65R099C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 38A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 99mOhm maksimum on-state direnci ile güç dönüştürücü, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 278W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Ürün artık üretimi durdurulmuş (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 12.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok