Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R074C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R074C6
IPP65R074C6XKSA1 Hakkında
IPP65R074C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 57.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 74mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüşüm devreleri, invertörler ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 480.8W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Parça halen üretim dışı (Obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 57.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 480.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 13.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok