Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R065C7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R065C7
IPP65R065C7 Hakkında
IPP65R065C7, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 33A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 65mΩ On-resistance (Rds On) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol, motor sürücüsü, güç kaynakları ve invertör devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 171W maksimum güç tüketimi ve 64nC gate charge karakteristikleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 171W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 17.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 850µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok