Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R060CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R060CFD7
IPP65R060CFD7XKSA1 Hakkında
IPP65R060CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirmek için tasarlanmıştır. 36A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 60mOhm maksimum açık durumda direnç ile güç elektronikleri, güç kaynakları, solar invertörleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 68nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3288 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 171W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 16.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 860µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok