Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP65R041CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP65R041CFD7XKSA1
IPP65R041CFD7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP65R041CFD7XKSA1, 650V COOLMOS teknolojisine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket tipinde tasarlanan bu bileşen, 50A sürekli dren akımı kapasitesine ve 41mOhm maksimum kapalı hal direncine (Rds On) sahiptir. Yüksek voltaj uygulamaları için optimize edilmiş tasarımıyla, endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor kontrol devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uyum gösteren komponetin maksimum güç dissipasyonu 227W'tır. ±20V gate gerilim toleransı ve 10V drive voltajında optimum performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4975 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 24.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.24mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok