Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R950C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R950C6
IPP60R950C6XKSA1 Hakkında
IPP60R950C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 4.4A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 950mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipi ve -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güç anahtarlaması, PWM kontrolü ve convertor devreleri için tercih edilir. 13nC gate charge ve 280pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok