Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R600E6
IPP60R600E6XKSA1 Hakkında
IPP60R600E6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 25°C'de 7.3A sürekli drain akımı ve maksimum 63W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında 600mΩ on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Gate eşik voltajı 3.5V olup, ±20V maksimum gate voltajına dayanabilir. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletme imkanı sunar. Endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücü ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok