Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R600CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R600C

IPP60R600CPXKSA1 Hakkında

IPP60R600CPXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 6.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 600mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile enerji dönüştürme devrelerinde, güç beslemelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve anahtar devrelerinde tercih edilir. TO-220-3 paketlemesi sayesinde kolay montaj ve iyi ısı dağıtımı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 27nC gate charge ve 550pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 220µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok